FD16001200R17KF6CB2NOSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
FD16001200R17KF6CB2NOSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000100589
PN genérico
FD1600/1200
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
8-30-2015
Prazo final para envio/embarque
12-31-2015
Tipo de Encapsulamento
Module
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
No
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0095
ECCN
EAR99