FDS2170N7
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Fabricante:Fairchild
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 0.128ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Ficha técnica
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Fairchild
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Preços
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Código do fabricante
FDS2170N7
Fabricante
Fairchild
PN genérico
FDS2170
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
6-3-2010
Prazo final para envio/embarque
12-3-2010
Tipo de Encapsulamento
DIP8
Número de pinos
8
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tube
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99