FFSB20120A
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Fabricante:onsemi
Categoria:Discretes
Descrição:Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 1200 V, D1, D2PAK-2L Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D1, D2PAK-2L
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onsemi
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Preços
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Código do fabricante
FFSB20120A
Fabricante
onsemi
PN genérico
FFSB20120A
Ciclo de vida do fabricante
Active
Tipo de Encapsulamento
D2PAK2 (TO-263-2L)
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
No
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
800
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Diodes
Grupo de tecnologia
Rectifier/Schottky Diodes
Código HTS dos EUA
8541.10.0080
ECCN
EAR99



