FQB12N60TM
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Fabricante:Fairchild
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 600V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Ficha técnica
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Fairchild
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Código do fabricante
FQB12N60TM
Fabricante
Fairchild
PN genérico
FQB12
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
3-20-2003
Tipo de Encapsulamento
D2PAK-3
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
No
Livre de chumbo
No
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99