FQB27N25TM
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Fabricante:Fairchild
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 25.5A I(D), 250V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

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Fairchild
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Código do fabricante
FQB27N25TM
Fabricante
Fairchild
PN genérico
FQB27
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
3-20-2003
Tipo de Encapsulamento
D2PAK-3
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99