FQB55N06TM
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Fabricante:Fairchild
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Ficha técnica
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Fairchild
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Preços
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Código do fabricante
FQB55N06TM
Fabricante
Fairchild
PN genérico
FQB55
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
3-11-2008
Prazo final para envio/embarque
9-11-2008
Tipo de Encapsulamento
D2PAK-3
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99