FDMS10C4D2N
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Fabricante:onsemi
Categoria:Discretes
Descrição:N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 124A, 4.2mΩ

Ficha técnica
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onsemi
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Código do fabricante
FDMS10C4D2N
Fabricante
onsemi
PN genérico
FDMS10C4D2N
Ciclo de vida do fabricante
Active
Tipo de Encapsulamento
PQFN-8
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
No
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
3000
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99