H7N1004FN-E
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Fabricante:Renesas
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor

Ficha técnica
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Renesas
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Preços
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Código do fabricante
H7N1004FN-E
Fabricante
Renesas
PN genérico
H7N1004
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Tipo de Encapsulamento
TO-220FN
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Quantidade de embalagem
1
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99