FGY120T65SPD-F085
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Fabricante:onsemi
Categoria:Discretes
Descrição:IGBT, 650V, 120A Field Stop, Trench With Soft Fast Recovery Diode

Ficha técnica
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onsemi
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Código do fabricante
FGY120T65SPD-F085
Fabricante
onsemi
PN genérico
FGY120T65S_F085
Ciclo de vida do fabricante
Active
Tipo de Encapsulamento
TO-247 3L
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
No
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tube
Quantidade de embalagem
450
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99