FZ800R45KL3B5NOSA2
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 4500V V(BR)CES, N-Channel

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
FZ800R45KL3B5NOSA2
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP001035696
PN genérico
FZXR45K3S
Ciclo de vida do fabricante
Active
Tipo de Encapsulamento
A-IHV13-361
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
No
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
2
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0095
ECCN
EAR99