FZ1000R33HL3B60BOSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 3300V V(BR)CES, N-Channel

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
QTDPreço unitário1-24$1,606.42(R$8,185.67)25-99$1,558.23(R$7,940.12)100-499$1,510.03(R$7,694.51)500-999$1,461.84(R$7,448.95)1000+$1,413.65(R$7,203.39)
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Código do fabricante
FZ1000R33HL3B60BOSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP001639072
PN genérico
FZ1000R33HL3_B60
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
PDN Number
PD_325_22
Prazo final para
6-15-2023
Prazo final para envio/embarque
6-15-2023
Tipo de Encapsulamento
AG-IHVB130-3
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
2
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99