FZ1200R12KE3NOSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
QTDPreço unitário1-24$679.09(R$3,460.37)25-99$658.72(R$3,356.57)100-499$638.34(R$3,252.73)500-999$617.97(R$3,148.93)1000+$597.60(R$3,045.13)
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Código do fabricante
FZ1200R12KE3NOSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000100566
PN genérico
FZ1200R12
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para envio/embarque
4-30-2015
Tipo de Encapsulamento
Module
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
No
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT Module
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99