FZ1600R17KE3B2NOSA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 2400A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
FZ1600R17KE3B2NOSA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000100599
PN genérico
FZ1600R17KE3B2
Ciclo de vida do fabricante
NRND
Tipo de Encapsulamento
A-IHM130-1-1
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
No
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tray
Quantidade de embalagem
2
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99