HGT1E50N60E2HB
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Fabricante:Harris
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A, 600V

Ficha técnica
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Harris
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Preços
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Código do fabricante
HGT1E50N60E2HB
Fabricante
Harris
PN genérico
HGT1E50N60
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Tipo de Encapsulamento
PM001
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Unknown
Livre de chumbo
Unknown
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT
Código HTS dos EUA
8541.29.0095
ECCN
EAR99