HGT1S7N60A4DS9A
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Fabricante:Fairchild
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 34A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB

Ficha técnica
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Fairchild
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Preços
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Código do fabricante
HGT1S7N60A4DS9A
Fabricante
Fairchild
PN genérico
HGT1S7N60
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
4-16-2003
Prazo final para envio/embarque
12-31-2003
Tipo de Encapsulamento
TO-263AB
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Unknown
Livre de chumbo
Unknown
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT
Código HTS dos EUA
8542.39.0090
ECCN
EAR99