HGT1S7N60C3D
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Fabricante:Harris
Categoria:Discretes
Descrição:N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor

Ficha técnica
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Harris
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Preços
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Código do fabricante
HGT1S7N60C3D
Fabricante
Harris
PN genérico
HGT1S7N60
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
3-11-2008
Tipo de Encapsulamento
TO-262AA
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
No
Livre de chumbo
No
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT
Código HTS dos EUA
8541.29.0095
ECCN
EAR99