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HGT1S7N60C3DS9A
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Fabricante:Harris
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
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Harris
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Preços
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Código do fabricante
HGT1S7N60C3DS9A
Fabricante
Harris
PN genérico
HGT1S7N60
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Tipo de Encapsulamento
T0-262AA
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Quantidade de embalagem
800
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT
Código HTS dos EUA
8541.29.0095
ECCN
EAR99
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