IPB100N04S204ATMA4
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
IPB100N04S204ATMA4
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP001058122
PN genérico
XPB100N04
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
PDN Number
PD_257_24
Prazo final para
1-31-2025
Prazo final para envio/embarque
7-31-2025
Tipo de Encapsulamento
PG-TO263-3
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
1000
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99