IPD30N06S2L23ATMA3
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
IPD30N06S2L23ATMA3
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP001061286
PN genérico
XPD30N06
Ciclo de vida do fabricante
Active
Tipo de Encapsulamento
PG-TO252-3
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
2500
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99