IPB020N04NGATMA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
IPB020N04NGATMA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000359157
PN genérico
IPB020N04N G
Ciclo de vida do fabricante
NRND
Tipo de Encapsulamento
PG-TO263-7
Número de pinos
7
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
1000
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99