IPG20N06S4L14ATMA2
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.0137ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
IPG20N06S4L14ATMA2
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP001028632
PN genérico
XPG20N06
Ciclo de vida do fabricante
Active
Tipo de Encapsulamento
PG-TDSON-8
Número de pinos
8
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
5000
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99

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