IRFSL5615PBF
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
IRFSL5615PBF
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP001567730
PN genérico
IRFSL5615PBF
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
PDN Number
PD_106_25
Prazo final para
9-30-2025
Prazo final para envio/embarque
3-31-2026
Tipo de Encapsulamento
TO262
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tube
Quantidade de embalagem
1000
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99