IRFB3307ZPBF
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
IRFB3307ZPBF
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP001564038
PN genérico
IRFB3307ZPBF
Ciclo de vida do fabricante
NRND
Tipo de Encapsulamento
TO22
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tube
Quantidade de embalagem
1000
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99