MRF6S20010GNR1
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Fabricante:Freescale,NXP Semiconductors
Categoria:Discretes
Descrição:RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-270BA
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Preços
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Código do fabricante
MRF6S20010GNR1
Fabricante
Freescale,NXP Semiconductors
Código de pedido do fabricante
935313674528
PN genérico
MRF6S20010
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
6-30-2022
Prazo final para envio/embarque
12-1-2023
Tipo de Encapsulamento
FM2
Número de pinos
2
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
500
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
RF Transistors
Código HTS dos EUA
8541.29.0065
ECCN
EAR99
