RJP30E2DPK-M0#T0
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Fabricante:Renesas
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor

Ficha técnica
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Renesas
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Preços
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Código do fabricante
RJP30E2DPK-M0#T0
Fabricante
Renesas
PN genérico
RJP30E2DPK-M0
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Tipo de Encapsulamento
TO-3P
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tube
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT
Código HTS dos EUA
8541.21.0095
ECCN
EAR99