RJP30E3DPK-M2#T0
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Fabricante:Renesas
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor

Ficha técnica
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Renesas
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Preços
QTDPreço unitário25-99$10.08(R$51.36)100-499$9.58(R$48.82)500-999$9.07(R$46.22)1000-9999$8.57(R$43.67)10000+$8.06(R$41.07)
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Código do fabricante
RJP30E3DPK-M2#T0
Fabricante
Renesas
PN genérico
RJP30E3DPK
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Tipo de Encapsulamento
TO-3P
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tube
Quantidade de embalagem
1
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99