RJP30H1DPD-A0#Q2
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Fabricante:Renesas
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor

Ficha técnica
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Renesas
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Preços
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Código do fabricante
RJP30H1DPD-A0#Q2
Fabricante
Renesas
PN genérico
RJP30H1DPD
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Tipo de Encapsulamento
DAPAK3
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
3000
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99