RJP6065DPN-P1#T2
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Fabricante:Renesas
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor

Ficha técnica
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Renesas
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Preços
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Código do fabricante
RJP6065DPN-P1#T2
Fabricante
Renesas
PN genérico
RJP6065DPN
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Tipo de Encapsulamento
TO-220AB
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tube
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99