RF1S22N10SM
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Fabricante:Harris
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Ficha técnica
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Harris
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Preços
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Código do fabricante
RF1S22N10SM
Fabricante
Harris
PN genérico
RF1S22
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
6-30-2000
Prazo final para envio/embarque
12-29-2000
Tipo de Encapsulamento
TO-263AB
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
No
Livre de chumbo
No
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99