RF1S23N06LE
Em estoque
Consulte a ficha técnica do produto para ver a imagem exata do produto.
Fabricante:Harris
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA

Ficha técnica
Compartilhar publicação
Seu preço:$0.83(R$4.23)
Compre mais e economize! Consulte a tabela de preços.
Harris
Em estoque: 2,112
$0.8324(R$4.24)|
Preços
QTDPreço unitário100-499$0.8324(R$4.24)500-999$0.7492(R$3.82)1000-9999$0.6909(R$3.52)10000-99999$0.616(R$3.14)100000+$0.5161(R$2.63)
Preços, disponibilidade e prazos de entrega estão sujeitos a verificação no momento do pedido.
Código do fabricante
RF1S23N06LE
Fabricante
Harris
PN genérico
RF1S23
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
3-26-2000
Prazo final para envio/embarque
9-25-2000
Tipo de Encapsulamento
IPAK-3
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
No
Livre de chumbo
No
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99