RF1S25N06SM
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Fabricante:Harris
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Ficha técnica
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Harris
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Preços
QTDPreço unitário100-499$0.7661(R$3.90)500-999$0.6895(R$3.51)1000-9999$0.6359(R$3.24)10000-99999$0.5669(R$2.89)100000+$0.475(R$2.42)
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Código do fabricante
RF1S25N06SM
Fabricante
Harris
PN genérico
RF1S25
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
6-30-2000
Prazo final para envio/embarque
12-29-2000
Tipo de Encapsulamento
IPAK-3
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
No
Livre de chumbo
No
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99

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Ficha técnica
100+$0.8058(R$4.11)500+$0.7252(R$3.70)1000+$0.6688(R$3.41)10000+$0.5963(R$3.04)100000+$0.4996(R$2.55)
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