RF1S630
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Fabricante:Harris
Categoria:Discretes
Descrição:9A, 200V, 0.400 OHM, N-Channel POWER MOSFET

Ficha técnica
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Harris
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Código do fabricante
RF1S630
Fabricante
Harris
PN genérico
RF1S630
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Tipo de Encapsulamento
TO-263
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
No
Livre de chumbo
No
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99