RFB18N10CS
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Fabricante:Harris
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TS-001AA

Ficha técnica
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Harris
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Código do fabricante
RFB18N10CS
Fabricante
Harris
PN genérico
RFB18
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Tipo de Encapsulamento
TS-001AA
Número de pinos
5
Conformidade com RoHS
No
Livre de chumbo
No
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0095
ECCN
EAR99