RQA0009TXDQS#H1
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Fabricante:Renesas
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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Renesas
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Código do fabricante
RQA0009TXDQS#H1
Fabricante
Renesas
PN genérico
RQA0009TXDQS
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
6-21-2019
Prazo final para envio/embarque
12-31-2020
Tipo de Encapsulamento
UPAK4
Número de pinos
4
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Coil Tape
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99