RFD20N03SM
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Fabricante:Harris
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

Ficha técnica
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Harris
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Preços
QTDPreço unitário100-499$0.5019(R$2.56)500-999$0.4517(R$2.30)1000-9999$0.4166(R$2.12)10000-99999$0.3714(R$1.89)100000+$0.3112(R$1.59)
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Código do fabricante
RFD20N03SM
Fabricante
Harris
PN genérico
RFD20
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
6-9-2000
Prazo final para envio/embarque
12-9-2000
Tipo de Encapsulamento
TO-252AA
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
No
Livre de chumbo
No
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99

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Ficha técnica
100+$0.991(R$5.05)500+$0.8919(R$4.54)1000+$0.8225(R$4.19)10000+$0.7333(R$3.74)100000+$0.6144(R$3.13)
Em estoque: 2,500