RFP4N06
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Fabricante:Harris
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Ficha técnica
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Harris
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Código do fabricante
RFP4N06
Fabricante
Harris
PN genérico
RFP4N06
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
9-26-1999
Prazo final para envio/embarque
3-26-2000
Tipo de Encapsulamento
TO-220AB
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
No
Livre de chumbo
No
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0095
ECCN
EAR99