RFW2N06RLE
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Fabricante:Harris
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Ficha técnica
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Harris
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Preços
QTDPreço unitário25-99$1.64(R$8.36)100-499$1.56(R$7.95)500-999$1.48(R$7.54)1000-9999$1.39(R$7.08)10000+$1.31(R$6.68)
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Código do fabricante
RFW2N06RLE
Fabricante
Harris
PN genérico
RFW2
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Tipo de Encapsulamento
HEXDIP4
Número de pinos
4
Conformidade com RoHS
No
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tube
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0095
ECCN
EAR99