SGB10N60AATMA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
SGB10N60AATMA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000013790
PN genérico
SGB10N60
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
6-30-2016
Prazo final para envio/embarque
12-31-2016
Tipo de Encapsulamento
SOT-23-3
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
1000
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99