SGB20N60ATMA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
SGB20N60ATMA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000011984
PN genérico
SGB20N60
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
3-31-2014
Prazo final para envio/embarque
9-30-2014
Tipo de Encapsulamento
D2PAK
Número de pinos
0
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99