SGD02N60BUMA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
SGD02N60BUMA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000011993
PN genérico
SGD02N60
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
PDN Number
PD_258_19
Prazo final para
9-30-2023
Prazo final para envio/embarque
9-30-2025
Tipo de Encapsulamento
TO-252-3, DPak
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
2500
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99