SGW23N60UFDTM
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Fabricante:Fairchild
Categoria:Discretes
Descrição:Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB

Ficha técnica
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Fairchild
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Preços
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Código do fabricante
SGW23N60UFDTM
Fabricante
Fairchild
PN genérico
SGW23N60
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
Prazo final para
12-2-2008
Prazo final para envio/embarque
6-2-2009
Tipo de Encapsulamento
D2PAK-3
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99