SIGC109T120R3
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:SIGC109T120R3-DIE - Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A, 1200V, N-Channel

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
SIGC109T120R3
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000272542
PN genérico
SIGC109T120
Ciclo de vida do fabricante
Active
Tipo de Encapsulamento
Die
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
Yes
Embalagem
Waffle Tray
Quantidade de embalagem
0
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
IGBT
Código HTS dos EUA
8541.29.0040
ECCN
EAR99