SPB18P06PGATMA1
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Fabricante:Infineon
Categoria:Discretes
Descrição:Power Field-Effect Transistor, 18.7A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Ficha técnica
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Infineon
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Preços
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Código do fabricante
SPB18P06PGATMA1
Fabricante
Infineon
Código de pedido do fabricante
SP000102181
PN genérico
XPB18P06
Ciclo de vida do fabricante
Obsolete
PDN Number
PD_291_25
Prazo final para
3-31-2026
Prazo final para envio/embarque
9-30-2026
Tipo de Encapsulamento
PG-TO263-3
Número de pinos
3
Conformidade com RoHS
Yes
Livre de chumbo
No
Embalagem
Tape & Reel
Quantidade de embalagem
1000
Categoria de tecnologia
Discretes
Subcategoria de tecnologia
Transistor
Grupo de tecnologia
MOSFETs/FETs
Código HTS dos EUA
8541.29.0055
ECCN
EAR99