Suporte ponta a ponta para transistores de potência LDMOS, VDMOS e GaN1 da Ampleon 

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Projetistas em todos os lugares enfrentam uma batalha sem fim para gerenciar a incompatibilidade entre o ciclo de vida de seus sistemas e a obsolescência dos componentes dentro deles.

Em nenhum lugar esse desafio é mais evidente do que em mercados como banda larga móvel, transmissão, rádio militar e comunicações por satélite, radar, setor aeroespacial e determinadas aplicações médicas, em que cada componente de RF na cadeia de sinais é “crítico” e frequentemente tem um fornecedor único.

A Ampleon e a Rochester Electronics estabeleceram uma parceria única para fornecer aos nossos clientes uma fonte confiável de longo prazo para esses dispositivos críticos de RF. Reconhecemos a importância de uma transição suave, após uma última compra, para um parceiro de fabricação autorizada de componentes em fim de vida útil e estamos aqui para apoiá-lo.

O inventário da Rochester inclui 325 números de peças diferentes e oferece mais de 1,5 milhão de unidades de produtos acabados da Ampleon. Além disso, temos estoque de wafers e chips para fornecer produção licenciada contínua. Todos os produtos são 100% autorizados e garantidos de acordo com as especificações originais da Ampleon e continuarão disponíveis por muitos anos.

Na tabela abaixo, descubra como a Rochester está garantindo a produção contínua de produtos Ampleon e apoiando as necessidades de nossos valiosos clientes de longa vida útil.

Número da peça base

Descrição

BLF177

Transistor de potência MOS HF/VHF

BLF278

Transistor de potência VHF Push-Pull VDMOS

BLF3G21-30

Transistor de potência UHF LDMOS

BLF404

Transistor de potência UHF MOS

BLF521

BLF521 — Transistor de potência UHF VDMOS

BLL1214

Transistor de radar de banda L LDMOS

CLF1G0035

HEMT GaN de potência de RF de banda larga de 50 W e 200 W

CLF1G0060-10

HEMT GaN de potência de RF de banda larga de 10 W e 30 W

MX0912B251Y

Transistor de potência de micro-ondas NPN

ON5040

Transistor de potência de RF

RX1214B300YI

Transistor de potência de micro-ondas NPN

TM-10

TM-10 — HEMT GaN de potência de RF de banda larga de 10 W

Projetistas de RF podem ficar mais tranquilos sabendo que redesenhos dispendiosos devido à obsolescência podem ser evitados e que existe um plano para suporte de longo prazo sem riscos.

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