Uma retrospectiva sobre inovação, revolução e dispositivos de memória
Desde o início da revolução eletrônica, as memórias semicondutoras têm desempenhado um papel fundamental. Em termos gerais, as memórias podem ser agrupadas em duas categorias: memória não volátil, que retém conteúdo quando a energia é desligada, e memória volátil, que perde seu conteúdo quando a energia é desligada. Neste primeiro registro da série de memórias semicondutoras da Rochester Electronics, analisaremos as origens da memória não volátil.
A primeira solução semicondutora não volátil foi a PROM (Programmable Read-Only Memory, ou Memória programável somente leitura), juntamente com a EPROM (Erasable PROM, ou PROM apagável). O dispositivo PROM original foi proposto na Bell Labs em 1967 e foi desenvolvido pela Intel em 1971
Inicialmente, dois tipos de EPROMs estavam disponíveis; uma versão de programação única e uma versão que usava luz ultravioleta (UV) para apagar o conteúdo da memória. A versão apagável por UV foi particularmente útil para permitir modificações de projeto durante as fases de protótipo e desenvolvimento.
A primeira versão prática e de fácil produção disponível tinha meros 256 bytes, surpreendentemente pequena para os padrões de hoje. Logo em seguida outros fornecedores conhecidos começaram a vender seus próprios dispositivos: AMD, Intel, Fujitsu, Hitachi, Macronix, Atmel e Texas Instruments.
Fornecedores concorrentes introduziram avanços quanto às densidades de memórias, operações de baixa tensão e opções de encapsulamento adicionais.
Um dos principais desafios das EPROMs foi a inconveniência da reprogramação usando luz UV, devido à necessidade de equipamentos especializados. O problema foi corrigido com o desenvolvimento de EEPROMs (Electrically programmable EPROM, ou EPROM programável eletricamente), pois a reprogramação tornou-se mais rápida, mais confiável e poderia ser feita na placa. Essa tecnologia foi originalmente fabricada pela Solid State Devices em 1972, com novos desenvolvimentos de uma série de empresas que incluíam Hughes Aircraft, Fairchild e Siemens. Melhorias contínuas em memórias resultaram em densidades mais altas, menores tensões de operação e programação, além de mais opções de velocidade. Outro acontecimento significativo foi a mudança de interfaces paralelas de 8 bits para interfaces seriais, como I2C e SPI. Isso, juntamente com a redução nas geometrias dos semicondutores, permitiu a migração para encapsulamentos cada vez menores.
Trinta anos depois, EPROMs e EEPROMs ainda são usadas em inúmeros projetos. Embora o cenário de fornecedores tenha mudado, os fabricantes de componentes originais, como Microchip (Atmel), onsemi (Catalyst), Renesas, Rohm e ST Micro, ainda fornecem a produção. A Rochester Electronics possui um inventário de dispositivos EPROM ativos e obsoletos, disponibilizando novas produções dos clássicos dispositivos AM27C256, AM27C512 e AM27C010.
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No que diz respeito à memória não volátil, a concorrência veio com o lançamento da memória flash. Inventada pela Toshiba em 1980, a memória flash pode apagar e reprogramar seu conteúdo eletricamente, sendo pioneira no conceito de reprogramação em circuito. Agora, os dispositivos poderiam ser programados, enquanto montados na placa, e se tornar parte do processo de fabricação. Isso permitiu alterações no dispositivo de memória até o ponto de produção. Antes disso, muitos dispositivos eram encomendados pré-programados de fornecedores e distribuidores com muitas semanas de antecedência, o que criava problemas sempre que uma mudança era necessária. Isso melhorou o processamento da linha de produção em uma época em que as linhas de produtos passavam a ter mais automação e adicionar serviços de fabricação por contrato, o que permitiu maior flexibilidade de produção e redução de custos.
Após seu lançamento, a memória flash evoluiu para duas tecnologias diferentes. A tecnologia flash NOR original podia acessar facilmente todos os locais de memória com alto grau de confiabilidade, e a tecnologia flash NAND alternativa fornecia densidades mais altas e custos mais baixos, mas às custas de não permitir acesso à memória em um único local e precisar gerenciar células de memória.
Cada tecnologia oferecia benefícios exclusivos e aplicações de mercado foram desenvolvidas para cada uma. A flash NOR é ideal para armazenar código e dados críticos, enquanto a flash NAND se destaca no armazenamento de dados de alta capacidade, ao ponto de agora substituir unidades de disco rígido em algumas aplicações. Alguns dos fornecedores atualmente ativos no mercado de memória flash são a Giga-Devices, a Infineon, a ISSI e a Macronix.
A Rochester Electronics fornece suporte para dispositivos de memória flash ativos e obsoletos. A parceria entre a Rochester e a Infineon fornece suporte contínuo para as famílias Cypress e Spansion de memórias flash NOR. Assim como todos os produtos da Rochester, todos os dispositivos são 100% autorizados, rastreáveis, certificados e garantidos.
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